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發(fā)布時(shí)間: 2024-08-16
產(chǎn)品型號(hào): BEST-351
廠商性質(zhì): 生產(chǎn)廠家
所 在 地: 北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號(hào)
產(chǎn)品特點(diǎn): 高溫四探針電阻率測(cè)試儀配套方案:解決各材料狀態(tài) --固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)、顆粒狀 電阻、電阻率、電導(dǎo)率測(cè)量誤差 ≤3%(標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果 ≤15%
高溫四探針電阻率測(cè)試儀探針間距
標(biāo)配外(選購(gòu)):
溫度精度 沖溫值:≤1-3℃;控溫精度:±1°C
供電:400-1200℃ 電源220V,功率4KW;380V;1400℃-1600℃電源380V;功率9KW:
高溫電源:
高溫四探針電阻率測(cè)試儀探針間距
標(biāo)配外(選購(gòu)):
溫度精度 沖溫值:≤1-3℃;控溫精度:±1°C
供電:400-1200℃ 電源220V,功率4KW;380V;1400℃-1600℃電源380V;功率9KW:
高溫電源:
規(guī)格型號(hào) FT-351A FT-351B FT-351C
用于:企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù).
方塊電阻范圍 10-5~2×105Ω 10-6~2×105Ω 10-4~1×107Ω
電阻精度 ≤0.3% ≤0.3% ≤10%
PC軟件界面 顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率
二.適用行業(yè)::
雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測(cè)試方法并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
高溫材料 采用復(fù)合陶瓷纖維材料,具有真空成型,高溫不掉粉的特征
溫度(選購(gòu))
電極材料 鎢電極或鉬電極
配套方案:解決各材料狀態(tài) --固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)、顆粒狀 電阻、電阻率、電導(dǎo)率測(cè)量
誤差 ≤3%(標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果 ≤15%
采用四探針雙電組合測(cè)量方法測(cè)試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫箱結(jié)合配置高溫四探針測(cè)試探針治具與PC軟件對(duì)數(shù)據(jù)的處理和測(cè)量控制,解決半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率對(duì)溫度變化測(cè)量要求,軟件實(shí)時(shí)繪制出溫度與電阻,電阻率,電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線圖譜,及過(guò)程數(shù)據(jù)值的報(bào)表分析.
常溫 --400℃;600℃;800℃;1000℃;1200℃;1400℃;1600℃
電流精度 ±0.1%讀數(shù) ±0.1讀數(shù) ±2%
氣氛保護(hù)(氣體客戶自備) 常用氣體如下:氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn),均為無(wú)色、無(wú)臭、氣態(tài)的單原子分子
升溫速度: 常溫開(kāi)始400℃--800℃需要15分鐘;800℃-1200℃需要30分鐘;1400℃-1600℃需要250分鐘—300分鐘
電腦和打印機(jī)1套;2.標(biāo)準(zhǔn)電阻1-5個(gè)
測(cè)試方式 雙電測(cè)量
測(cè)試PC軟件一套,USB通訊接口,軟件界面同步顯示、分析、保存和打印數(shù)據(jù)!
四探針儀工作電源 AC 220V±10%.50Hz <30W
一.BEST-351系統(tǒng)概述:
直線型探針,探針中心間距:4mm;樣品要求大于13mm直徑
測(cè)試電流范圍 0.1μA.μA.0μA,100μA,1mA,10mA,100 mA 1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA 10mA?---200pA
三.型號(hào)及參數(shù):
電阻率范圍 10-6~2×106Ω-cm 10-7~2×106Ω-cm 10-5~2×108Ω-cm
PC軟件
規(guī)格型號(hào) FT-351A FT-351B FT-351C
用于:企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù).
方塊電阻范圍 10-5~2×105Ω 10-6~2×105Ω 10-4~1×107Ω
電阻精度 ≤0.3% ≤0.3% ≤10%
PC軟件界面 顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率
二.適用行業(yè)::
雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測(cè)試方法并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
高溫材料 采用復(fù)合陶瓷纖維材料,具有真空成型,高溫不掉粉的特征
溫度(選購(gòu))
電極材料 鎢電極或鉬電極
配套方案:解決各材料狀態(tài) --固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)、顆粒狀 電阻、電阻率、電導(dǎo)率測(cè)量
誤差 ≤3%(標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果 ≤15%
組阻的程圖統(tǒng),與數(shù)探件制雙高四對(duì)理值出,阻件分軟測(cè)采量合過(guò)法度變率率具導(dǎo)探導(dǎo)電測(cè)的報(bào)合四的半時(shí)材C方配據(jù)治系方電與高溫,溫化數(shù)溫用料譜曲據(jù)置實(shí)化的導(dǎo)試線電量軟電P解數(shù)據(jù)變表測(cè).箱,與試對(duì)析結(jié)和及體率測(cè)量繪要率求度和電阻測(cè)電決探制針針控阻,溫處針
℃62100001;0;08℃0℃44;10;10006 ℃0常-0;℃;溫℃℃00-
數(shù)%精1數(shù)±± 0.±讀電1%2度 .流0 讀
的(re氣氪子N用、A、無(wú)(分色、 氦ee子護(hù)氬氣臭、,、((保態(tài)氙、)體自H戶單氖常X)均(r)如、體)氣)氛)(客R):為K氡備氣無(wú)(原下n
1要要:30℃0分005 分鐘開(kāi)02;要鐘0468鐘溫0-溫;0℃0120℃℃0需-0411升—3℃50分速℃-常-08分度鐘需始0需0
1.印機(jī)打套和準(zhǔn)1-個(gè)2電阻腦電5標(biāo);
式試方電量雙測(cè) 測(cè)
和訊、保C測(cè)P軟,印一接界!件通S顯軟面口步件析據(jù)試同數(shù)、 B存套示U,打分
A1%工H<VW3探 ±0C5 電針 作儀 2.源四2000z
一.BEST-351高溫四探針電阻率測(cè)試系統(tǒng)概述:
直線型探針,探針中心間距:4mm;樣品要求大于13mm直徑
測(cè)試電流范圍 0.1μA.μA.0μA,100μA,1mA,10mA,100 mA 1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA 10mA?---200pA
三.型號(hào)及參數(shù):
電阻率范圍 10-6~2×106Ω-cm 10-7~2×106Ω-cm 10-5~2×108Ω-cm
PC軟件