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薄膜電容器高壓電橋工頻介電常數(shù)測(cè)試儀
時(shí)間:2024-08-15
北京市主要技術(shù)指標(biāo): 1.Q值測(cè)量范圍:2~1023 2.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔; *3.電感測(cè)量范圍:14.5nH~8.14H 自身殘余電感和測(cè)試引線電感的自動(dòng)扣除功能 4.電容直接測(cè)量范圍:1~460pF 5.主電容調(diào)節(jié)范圍: 40~500pF
時(shí)間:2024-08-14
北京市1.平板電容器 極片尺寸:φ25.4mm 極片間距可調(diào)范圍和分辨率:≥10mm,±0.01mm 2.園筒電容器 電容量線性:0.33pF / mm±0.05 pF 長度可調(diào)范圍和分辨率:≥0~20mm,±0.01mm 3. 夾具插頭間距:25mm±1mm 4. 夾角損耗角正切值:≤4×10-4(1MHz時(shí))
時(shí)間:2024-08-14
北京市北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司主要生產(chǎn)電壓擊穿試驗(yàn)儀、體積表面電阻率測(cè)試儀、介電常數(shù)介 質(zhì)損耗測(cè)定儀、高壓漏電起痕試驗(yàn)機(jī)、耐電弧等產(chǎn)品,, ,我們的產(chǎn)品性能可靠,售后無憂,歡迎咨詢! :王巧蕓
時(shí)間:2024-08-14
北京市高靈敏度介質(zhì)常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀GDAT-A用于測(cè)試絕緣材質(zhì)50HZ以上頻率的介質(zhì)常數(shù)介質(zhì)損耗,操作簡便,數(shù)據(jù)讀取方便,、
時(shí)間:2024-08-14
北京市平板電容器極片尺寸:φ25.4mm 極片間距可調(diào)范圍和分辨率:≥10mm,±0.01mm ,,
時(shí)間:2024-08-14
北京市高頻介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)試驗(yàn)機(jī)能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測(cè)試。它符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求
時(shí)間:2024-08-14
北京市GBT1409-2006薄膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀GDAT-A能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。
時(shí)間:2024-08-14
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